錦正茂成立于
研發(fā)團(tuán)隊(duì)占公司總?cè)藬?shù)
技術(shù)攻關(guān)與研發(fā)
用心服務(wù)客戶(hù)
產(chǎn)品展示
描述：定制實(shí)驗(yàn)室低溫制冷設(shè)備-氣氛型液氮恒溫器氣氛型液氮恒溫器，可以將樣品放置于靜態(tài)的氦氣當(dāng)中，使樣品本身可以充分冷卻，這種設(shè)計(jì)方案可以對(duì)導(dǎo)熱率差、不易熱錨的樣品均勻冷卻（eg：液體、粉末、以及一些形狀不規(guī)...
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描述：4K閉循環(huán)低溫恒溫器 低溫制冷設(shè)備結(jié)構(gòu)緊湊、性?xún)r(jià)比高、達(dá)到低溫不消耗制冷劑，維護(hù)周期長(zhǎng)、擴(kuò)展性強(qiáng)、使用方便；多種鍍金無(wú)氧銅樣品座，可滿(mǎn)足不同實(shí)驗(yàn)要求的測(cè)量需求，可快速更換樣品座。
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描述：錦正茂定制實(shí)驗(yàn)儀器 磁場(chǎng)控制平臺(tái)FCP磁場(chǎng)控制平臺(tái)標(biāo)準(zhǔn)配置：TESTIK475有1個(gè)計(jì)算機(jī)接口：RS-232串口:。這個(gè)接口可以設(shè)置所有儀器參數(shù)和測(cè)量值得讀回。
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描述：高溫磁場(chǎng)退火爐 磁性材料實(shí)驗(yàn)爐實(shí)驗(yàn)室設(shè)備在強(qiáng)磁場(chǎng)（或無(wú)磁）環(huán)境下對(duì)樣品進(jìn)行加熱，加熱到一定溫度（用戶(hù)需要自己設(shè)定）并保持在該溫度，再持續(xù)加一個(gè)磁場(chǎng)（可隨時(shí)變化），達(dá)到用戶(hù)的目的后，關(guān)閉磁場(chǎng)，關(guān)閉加熱環(huán)...
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描述：錦正茂定制 高低溫磁場(chǎng)探針臺(tái)材料測(cè)量高精度實(shí)驗(yàn)臺(tái)高低溫真空磁場(chǎng)探針臺(tái)該類(lèi)型的探針臺(tái)主要依據(jù)客戶(hù)的使用情況進(jìn)行設(shè)計(jì)優(yōu)化。
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描述：二維實(shí)驗(yàn)室電磁鐵LY100-2 勵(lì)磁裝置北京錦正茂科技有限公司自主研發(fā)的多極電磁鐵以四極電磁鐵居多，也有五極、六極、八極等多極的應(yīng)用，主要應(yīng)用于多極磁環(huán)充磁、徑向梯度磁場(chǎng)、旋轉(zhuǎn)磁場(chǎng)磁導(dǎo)向等多種應(yīng)用，
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描述：4K超低震動(dòng)變溫系統(tǒng) /液氦極低溫液氦杜瓦集成控制系統(tǒng)：控制真空系統(tǒng)、制冷機(jī)的運(yùn)行及安全反饋功能?？稍O(shè)置和顯示工作目標(biāo)參數(shù)和系統(tǒng)工作狀態(tài)，具備反饋安全控制功能。
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描述：10nm級(jí)4K液氦極低溫系統(tǒng) 低溫實(shí)驗(yàn)設(shè)備該系統(tǒng)由氦制冷機(jī)、氦壓縮機(jī)、水冷機(jī)、真空泵組、溫度傳感器、控溫儀、真空腔體、KF25真空抽口、以及制冷機(jī)支架、樣品臺(tái)、樣品卡等附件共同構(gòu)成。
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錦正科技以現(xiàn)代高科技產(chǎn)業(yè)和傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)為核心業(yè)務(wù)，對(duì)內(nèi)承接科研生產(chǎn)任務(wù)，對(duì)外以商務(wù)平臺(tái)方式實(shí)現(xiàn)軍民兩用技術(shù)成果轉(zhuǎn)換，形成了科學(xué)管理的現(xiàn)代化經(jīng)營(yíng)模式，專(zhuān)門(mén)從事物理、化學(xué)和材料等領(lǐng)域的科學(xué)儀器研發(fā)、銷(xiāo)售各類(lèi)型超低溫測(cè)試設(shè)備（液氮液氦）制冷機(jī)系統(tǒng)集成，定制，高低溫真空磁場(chǎng)發(fā)生系統(tǒng)，Helmholtz線(xiàn)圈（全套解決方案），電磁鐵（全系列支持定制），螺線(xiàn)管，電子槍?zhuān)ǜ叻€(wěn)定性雙極性磁鐵恒流電源1ppm），高低溫磁場(chǎng)真空探針臺(tái)，霍爾測(cè)試系統(tǒng)，電輸運(yùn)測(cè)量解決方案，磁光克爾效應(yīng)測(cè)量系統(tǒng)等產(chǎn)品種類(lèi)齊全，性能可靠，至今已...
技術(shù)文章
探針臺(tái)的維護(hù)直接影響其測(cè)試精度與使用壽命，需結(jié)合日常清潔、環(huán)境控制、定期校準(zhǔn)等多維度操作，具體方法如下：一、日常清潔與保養(yǎng)1.?表面清潔?l使用無(wú)塵布或軟布擦拭探針臺(tái)表面，避免殘留清潔劑或硬物劃傷精密部件。l探針頭清潔需用非腐蝕性溶劑（如異丙醇）擦拭，檢查是否彎曲或損壞。2.?光部件維護(hù)?l鏡頭、觀(guān)察窗等光學(xué)部件用鏡頭紙蘸取wu水jiu精從中心向外輕擦，操作時(shí)遠(yuǎn)離火源并保持通風(fēng)。3.?內(nèi)部防塵?l使用后及時(shí)吹掃灰塵，防止污染物進(jìn)入機(jī)械滑軌、電學(xué)接觸面等精密結(jié)構(gòu)。二、環(huán)境控制1...
探針臺(tái)探針與樣品的接觸方式根據(jù)應(yīng)用場(chǎng)景及設(shè)備類(lèi)型的不同，主要可分為以下幾種形式：一、機(jī)械定位接觸式1.?手動(dòng)定位調(diào)整?通過(guò)X/Y/Z軸旋鈕或移動(dòng)手柄手動(dòng)調(diào)節(jié)探針座位置，逐步將探針jian端移動(dòng)至待測(cè)點(diǎn)上方，再通過(guò)Z軸下壓完成接觸。此方式需結(jié)合顯微鏡觀(guān)察，確保探針與樣品表面jing準(zhǔn)對(duì)齊。?操作示例?：在顯微鏡低倍物鏡下定位樣品后，切換高倍物鏡微調(diào)待測(cè)點(diǎn)位置，再通過(guò)探針座三軸微調(diào)旋鈕實(shí)現(xiàn)接觸。2.?機(jī)械臂輔助定位?利用機(jī)械手控制探針臂的移動(dòng)，將探針jian端**定位至半導(dǎo)體器件...
探針臺(tái)根據(jù)測(cè)試需求、操作方式及環(huán)境條件可分為多個(gè)類(lèi)別，其核心特點(diǎn)與適用場(chǎng)景如下：一、按?測(cè)試樣品?分類(lèi)1、?晶圓測(cè)試探針臺(tái)?l?特點(diǎn)?：支持4寸至12寸晶圓測(cè)試，配備高精度移動(dòng)平臺(tái)與探針卡，兼容晶圓廠(chǎng)標(biāo)準(zhǔn)化測(cè)試流程。l?場(chǎng)景?：晶圓廠(chǎng)量產(chǎn)前的缺陷篩選（CP測(cè)試），實(shí)驗(yàn)室芯片原型驗(yàn)證。2、?LED測(cè)試探針臺(tái)?l?特點(diǎn)?：集成光學(xué)檢測(cè)模塊，可同步測(cè)試電學(xué)參數(shù)（如正向電壓）與光學(xué)性能（如光強(qiáng)、波長(zhǎng)）。l?場(chǎng)景?：LED芯片光效評(píng)估、顯示面板背光源質(zhì)量控制。3、?功率器件測(cè)試探針臺(tái)?...
集成電路封裝測(cè)試是確保芯片性能與可靠性的核心環(huán)節(jié)，主要包括?晶圓級(jí)測(cè)試（CP測(cè)試）?和?封裝后測(cè)試（FT測(cè)試）?兩大階段，流程如下：一、晶圓級(jí)測(cè)試（CP測(cè)試）1.?測(cè)試目的?：在晶圓切割前篩選出功能缺陷或性能不達(dá)標(biāo)的晶粒（Die），避免后續(xù)封裝環(huán)節(jié)的資源浪費(fèi)，顯著降低制造成本。2.?核心設(shè)備與操作?l?探針臺(tái)（Prober）?：通過(guò)高精度移動(dòng)平臺(tái)將探針與晶粒的Padjing準(zhǔn)接觸，實(shí)現(xiàn)電氣連接。l?ATE測(cè)試機(jī)?：提供測(cè)試電源、信號(hào)輸入及功能向量，接收晶粒反饋信號(hào)以判定其良率...
探針臺(tái)作為高精度測(cè)試設(shè)備，在光電行業(yè)的關(guān)鍵器件研發(fā)、性能測(cè)試及量產(chǎn)質(zhì)量控制中發(fā)揮核心作用，主要涵蓋以下應(yīng)用場(chǎng)景與技術(shù)特性：一、光電元件性能測(cè)試1.?光電器件基礎(chǔ)參數(shù)測(cè)量?l用于LED、光電探測(cè)器、激光器等元件的電流-電壓（I-V）特性、光功率、響應(yīng)速度等參數(shù)測(cè)試，支撐光通信、顯示技術(shù)的器件選型與性能優(yōu)化。l支持高頻信號(hào)測(cè)試（如40GHz以上射頻參數(shù)），滿(mǎn)足高速光調(diào)制器、光子集成電路（PIC）的帶寬與信號(hào)完整性驗(yàn)證需求。2.?光響應(yīng)特性分析?l通過(guò)電光轉(zhuǎn)換效率測(cè)試，量化光電探測(cè)...
探針臺(tái)作為半導(dǎo)體制造與測(cè)試的核心設(shè)備，通過(guò)精密定位與多環(huán)境適配能力，支撐芯片研發(fā)、生產(chǎn)及驗(yàn)證全流程。以下是其關(guān)鍵應(yīng)用領(lǐng)域與技術(shù)特性：一、核心功能支撐1.?電性能測(cè)試與分析?l在晶圓切割前，探針臺(tái)直接接觸芯片電極，測(cè)量閾值電壓、漏電流、跨導(dǎo)等200余項(xiàng)參數(shù)，用于評(píng)估良品率及優(yōu)化工藝設(shè)計(jì)。l支持單晶體管I-V曲線(xiàn)測(cè)量，定位柵極氧化層厚度偏差（精度達(dá)0.2nm），為器件性能分析提供數(shù)據(jù)基礎(chǔ)。2.?納米級(jí)定位與測(cè)量?l定位精度達(dá)±0.1μm，滿(mǎn)足5nm及以下制程芯片的極...
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