產品概述：
本儀器系統(tǒng)由電磁鐵、電磁鐵電源、高精度恒流源高精度電壓表、霍爾效應樣品支架、標準樣品、高低溫杜瓦，控溫儀，系統(tǒng)軟件。為本儀器系統(tǒng)專門研制的 JH10 效應儀將恒流源，六位半微伏表及霍爾測量復雜的切換繼電器——開關組裝成一體，大大減化了實驗的連線與操作。JH10 可單獨做恒流源、微伏表使用。用于測量半導體材料的載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數等重要參數，而這些參數是了解半導體材料電學特性必須預先掌控的，因此霍爾效應測試系統(tǒng)是理解和研究半導體器件和半導體材料電學特性*的工具。 實驗結果由軟件自動計算得到，可同時得到體載流子濃度(Bulk Carrier Concentration)、表面載流子濃度(Sheet Carrier Concentration)、遷移率(Mobility)、電阻率(Resistivity)、霍爾系數(Hall Coefficient)、磁致電阻）(Magnetoresistance)等
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技術指標：
磁 場：10mm 間距為 2T 30mm 間距為 1T
* 樣品電流：0.05uA~50mA(調節(jié) 0.1nA)
* 測量電壓：0.1uV~30V
* 提供各類測試標準材料，各級別硅與砷化鎵（靈敏度與精度不同）
* 小分辨率：0.1GS
* 磁場范圍：0-1T
* 配合高斯計或數采板可計算機通訊
* I-V 曲線及 I-R 曲線測量等
* 霍爾系數、載流子濃度等參數隨溫度的變化曲線
* 電阻率范圍：10-7~1012 Ohm*cm
* 電阻范圍：10 m Ohms~ 6MOhms
* 載流子濃度：103~1023cm-3
* 遷移率：0.1~108cm2/volt*sec
* 溫度調節(jié) 0.1K
* 溫區(qū)：77K-293K
* 測試全自動化，一鍵處理
* 可實現相同溫差間的連續(xù)測量
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系統(tǒng)構成 ：
低溫霍爾效應測試系統(tǒng)由電磁鐵、真空泵、低溫真空腔、高斯計、恒流源、電磁鐵電
流源、控溫儀和計算機及軟件組成。其中，電磁鐵電流源給電磁鐵提供電流產生磁場；高斯計測量線圈產生的均勻磁場值；恒流源一方面給樣品提供電流，用于霍爾效應測試，一方面可以測量樣品電壓；被測樣品置于低溫真空腔中，由低溫膠固定，并作為四個測試點；低溫真空腔引出 4 根導線，兩個連接控溫儀進行溫度的測量及控制，另 1 根是低溫探頭引線連接到高斯計上，還有 1 根是霍爾樣片連接線接到恒流源上；計算機連接高斯計、控溫儀、恒流源和電磁鐵電流源，通過軟件實現控制通過被測樣品的電流和磁場值，并獲取測得的電壓值。
各系統(tǒng)參數：
高精度電磁鐵：
極頭直徑 100mm;
N，S 間距 10mm 時大磁場 20000Gs
N，S 間距 20mm 時大 13000 高斯
N, S 間距 30mm 時大磁場 10000 高斯
均勻區(qū)：間距 60mm 時直徑 10mm 均勻度 范圍1%
自重 110 公斤， 含支架及輪子
高精度雙極性恒流電源
輸出： ±10A±80V 功率；800W
① 電源輸出電流可在正負額定大電流之間連續(xù)變化
② 電流可以平滑過零點，非開關換向
③ 輸出電流、電壓四象限工作（適合感性負載）
④ 電流變化速率可設置范圍為 0.0007～0.3 F.S./s(F.S.為額定大輸出電流）
※ 電流穩(wěn)定度高，紋波低
①電流穩(wěn)定度：優(yōu)于±25ppm/h（標準型）；優(yōu) 于±5ppm/h（高穩(wěn)型） ② 電流準確度：±（0.01%設定值+1mA） ③ 電流分辨率：20 bit，例 15A 電源，電流分辨率為 0.03mA
④ 源效應：≤ 2.0×10-5 F.S.（在供電電壓變化 10%時，輸出電流變化量）
⑤ 負載效應：≤ 2.0×10-5 F.S.（在負載變化 10%時，輸出電流變化量）
⑥ 電流紋波（RMS）：小于 1mA
高精度高斯計：
精度：讀數的±0.30%
分辨力：0.01mT 量程:0-3T
探頭厚度:1.0mm
長度 100mm 數字
Rs-232 接口數據讀取軟件配 GP3探頭
高斯計探頭支架及樣品架：
全鋁非導磁支架 5-70mm 可調；
樣品架夾具（按要求）; 5 1 霍爾效應系統(tǒng)軟件 可數字化調節(jié)磁場及電流,測試各類材料參數
低溫恒溫器：
80K-293K高低溫真空容器
TESK301 恒溫儀 控溫（65k-600k)
真空泵 K25 真空泵
恒流源及測試表
恒流源量程：±50nA-±50mA；
分辨力 0.1nA 在量程范圍內連續(xù)可調；
高精度電壓數采儀范圍 0. 1uV-30V
精度：0.01%
內置測試矩陣轉換卡；
歐姆接觸套件 根據不同材料的歐姆接觸制作套件
控制軟件的介紹：
JH60D是一鍵式測量操作系統(tǒng)，只需設置幾個樣品參數以及需要的溫度，即可一鍵自動測量，無需一直看管。測量時只需要設置好樣片通過的電流、樣片所在磁場環(huán)境的磁場大小、樣品厚度即可進行測量，如需控溫，打開溫度設置設定需要的溫度，選擇輸出的功率即可進行控溫，溫度控制需要一小段時間（大概 1min），等溫度穩(wěn)定后，即可進行此溫度下的各項參數的測量，數據可以繪圖，可以導出至 EXCEL中以便后期處理及使用。
可測試材料: ?
半導體材料：SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, HgCdTe 和鐵氧體材料等
低阻抗材料：石墨烯、金屬、透明氧化物、弱磁性半導體材料、TMR 材料等
高阻抗材料：半絕緣的 GaAs, GaN, CdTe 等
